自上世紀90年代以來，半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造，并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設(shè)備中。然而就像所有大功率操作設(shè)備一樣，氮化鎵晶體管會散發(fā)出相當(dāng)多的熱量，需要對其快速而有效的移除。科學(xué)家已嘗試過倒焊芯片和復(fù)合基底等多種熱量管理途徑，但效果都不理想。如何為這些設(shè)備降溫仍困擾著學(xué)界，氮化鎵電子工業(yè)的市場份額和應(yīng)用范圍也因為難以散熱而受到限制。

　　基于納米設(shè)備實驗室開發(fā)的新技術(shù)，將使這一情況得到改善。研究小組由電子工程學(xué)教授亞歷山大·巴蘭金領(lǐng)導(dǎo)，他們在進行微拉曼光譜溫度測量時發(fā)現(xiàn)，通過引入由多層石墨烯制成的交替散熱通道，能使在高功率運轉(zhuǎn)情況下的氮化鎵晶體管中的熱點降低20℃，并將相關(guān)設(shè)備的壽命延長10倍。

　　巴蘭金表示，這代表了熱量管理領(lǐng)域的變革性進展。與金屬或半導(dǎo)體薄膜不同，多層石墨烯即使在自身厚度僅為數(shù)納米時，也能保持良好的熱力性質(zhì)，這使它們成為了制造側(cè)面導(dǎo)熱片和連接線的**備選。研究人員在氮化鎵晶體管上設(shè)計并構(gòu)建了石墨烯“被子”，使其能從熱點處移除和傳導(dǎo)熱量。計算機模擬則顯示，采用熱阻更強的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化鎵設(shè)備上發(fā)揮作用。